RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Pontuação geral
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
28
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
22
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
12.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1668
3036
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link