RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
17.4
Скорость записи, Гб/сек
7.1
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
3036
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link