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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
8.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
5.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
28
Velocidade de leitura, GB/s
8.8
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.6
14.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1344
3409
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB Comparações de RAM
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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