Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

66 92

Por volta de 28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

3 15.1

Valor médio nos testes

Razões a considerar
V-GEN D4H8GS24A8 8GB

Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

8.2 1,433.1

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 5300

Por volta de 3.62 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

V-GEN D4H8GS24A8 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

462 1640

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns