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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Puntuación global
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
66
92
En 28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
1,433.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
92
Velocidad de lectura, GB/s
3,234.7
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,433.1
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
462
1640
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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