Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB vs Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Puntuación global
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 13.4
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    24 left arrow 66
    En -175% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.4 left arrow 1,433.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 5300
    En 3.62 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR5
  • Latencia en PassMark, ns
    66 left arrow 24
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,234.7 left arrow 13.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,433.1 left arrow 12.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow no data / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    462 left arrow 3436
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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