Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB vs Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    3 left arrow 13.4
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    24 left arrow 66
    左右 -175% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    12.4 left arrow 1,433.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    19200 left arrow 5300
    左右 3.62 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR5
  • PassMark中的延时,ns
    66 left arrow 24
  • 读取速度,GB/s
    3,234.7 left arrow 13.4
  • 写入速度,GB/s
    1,433.1 left arrow 12.4
  • 内存带宽,mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow no data / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    462 left arrow 3436
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