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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
60
81
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
8.5
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.6
1,755.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
81
Velocidade de leitura, GB/s
3,813.5
8.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,755.7
5.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
591
1651
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
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Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
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