RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
81
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
1,755.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
81
Prędkość odczytu, GB/s
3,813.5
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,755.7
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
591
1651
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link