RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
60
Wokół strony -161% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,755.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,813.5
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,755.7
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
591
3152
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link