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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
60
En -161% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
1,755.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,813.5
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,755.7
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
591
3152
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
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