RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Pontuação geral
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
60
Por volta de -161% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
1,755.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,813.5
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,755.7
13.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
591
3152
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link