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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
65
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
49
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
11.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2673
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
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Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB Comparações de RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
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