RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
65
Por volta de -124% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
12.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2553
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link