RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
65
Por volta de -132% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
19.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
15.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
3532
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link