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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
65
Por volta de -51% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
43
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
10.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2430
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
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