RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
65
Por volta de -51% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
43
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
10.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2430
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link