RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
65
Por volta de -97% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
33
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
9.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2486
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link