RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
65
Por volta de -132% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
12.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
3010
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link