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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
65
Por volta de -171% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
11.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2508
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
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