RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
65
Por volta de -160% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
11.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2945
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link