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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
65
Por volta de -132% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
10.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2179
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
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G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
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