RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
65
Por volta de -91% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.6
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
8.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2346
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link