RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
65
Por volta de -117% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
13.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
3267
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link