RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
65
Por volta de -110% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
11.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2447
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Lenovo 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link