RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
65
Por volta de -81% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
11.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2653
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB Comparações de RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link