RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
65
Por volta de -76% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
37
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
9.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2327
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link