RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
65
Por volta de -141% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.7
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
16.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
3832
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link