Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB vs Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB vs Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB

Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

1,785.9 1,728.0

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

61 62

Por volta de -2% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

3 3

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB

Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

555 575

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns