RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
27
Por volta de 11% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
27
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
14.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3008
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link