Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB

Pontuação geral
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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Pontuação geral
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Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB

Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    30 left arrow 51
    Por volta de -70% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    17 left arrow 10.2
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    15.0 left arrow 7.6
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 10600
    Por volta de 1.6 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    51 left arrow 30
  • Velocidade de leitura, GB/s
    10.2 left arrow 17.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.6 left arrow 15.0
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2049 left arrow 3690
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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