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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
32
Por volta de 25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR5
Latência em PassMark, ns
24
32
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3347
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
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Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
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Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
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