Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

24 32

Intorno 25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

16 15.5

Valore medio nei test

Motivi da considerare
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB

Velocità di scrittura più elevata, GB/s

13.4 12.5

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
Temporizzazioni / Velocità di clock

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz no data / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2925 3347

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns