RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
30
Por volta de 20% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.5
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3019
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link