RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3019
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9P1 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link