RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
28
Por volta de 14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
6.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
28
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
6.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
1426
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link