RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
71
Por volta de 66% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
71
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
1768
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
AMD R948G3206U2S 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link