RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
71
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
71
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1768
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link