RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
71
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
71
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1768
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
INTENSO 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link