RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
71
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
71
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1768
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link