RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
27
Por volta de 11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
27
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2596
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link