RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2596
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link