RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
43
Por volta de 44% menor latência
Razões a considerar
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
43
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
15.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3282
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link