RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
43
Около 44% меньшая задержка
Причины выбрать
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
43
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3282
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link