RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
27
Por volta de 11% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
27
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
16.2
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3784
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link