RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
32
Por volta de 25% menor latência
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
32
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
14.5
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3379
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link