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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
34
Por volta de 29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
34
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3041
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
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