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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de 10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
12.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
12.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2653
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Inmos + 256MB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
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