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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
25
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
25
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2310
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
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Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
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