RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2310
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link