RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3143
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link