RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Porównaj
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB vs Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wynik ogólny
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
25
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
25
Prędkość odczytu, GB/s
17.5
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
13.2
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3171
3232
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link