RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Comparez
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB vs Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Note globale
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Note globale
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
25
Autour de 8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
25
Vitesse de lecture, GB/s
17.5
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
13.2
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3171
3232
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link